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HERA-DLTS
高能分辨率深能級瞬態(tài)譜(DLTS)
PhysTech在1990年推出了**臺數(shù)字DLTS,隨著電腦技術的發(fā)展,使得在短時間內(nèi)進行復雜計算成為可能。在純指數(shù)發(fā)射過程模型的基礎上,用各種數(shù)學模型分析測量到的瞬態(tài)過程,如傅里葉轉(zhuǎn)換、拉普拉斯轉(zhuǎn)換、多指數(shù)瞬態(tài)擬合、ITS(等溫瞬態(tài)光譜)信號重疊法、溫度掃描信號重疊法(重折疊)。與其他系統(tǒng)相比,HERA-DLTS具有無法比擬的能量分辨率。
半導體的摻雜濃度、缺陷能級位、界面態(tài)(俘獲界面)是研究半導體性質(zhì)的重要手段。此設備根據(jù)半導體P-N 結、金-半接觸結構肖特基結的瞬態(tài)電容(△C~t)技術和深能級瞬態(tài)譜(DLTS)的發(fā)射率窗技術測量出的深能級瞬態(tài)譜,是一種具有很高檢測靈敏度的實驗方法,能檢測半導體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài)。通過對樣品的溫度掃描,可以給出表征半導體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級及界面態(tài)隨溫度(即能量)分布的DLTS 譜。
特點:
自動接觸檢查
常規(guī)測試和加強軟件
自動電容補償
三終端FET電流瞬態(tài)測量
大電容和濃度范圍
靈活性高、模塊化硬件
支持各種冷卻倉和溫度控制器
傅里葉轉(zhuǎn)換(F-DLTS),比例窗口和用戶自定義校正功能
DLTFS(深層瞬態(tài)傅里葉光譜儀)評價
操作模式:
C-DLTS
CC-DLTS
I-DLTS
DD-DLTS
Zerbst-DLTS
O-DLTS
FET-Analysis
MOS-Analysis
ITS(等溫瞬態(tài)光譜儀)
缺陷分析
俘獲截面測量
I/V, I/V(T)理查森標繪圖
C/V, C/V(T)
TSC/TSCAP
PITS(光子誘導瞬態(tài)譜)
DLOS(特殊系統(tǒng))
規(guī)格:
分辨率: | 1*108 atoms/cm3 |
脈沖發(fā)生器 | |
電壓范圍: | ±20.4V(±102opt.) |
電壓分辨率: | 0.625mV |
**電流: | >±15mA |
脈沖寬度: | 1μs-1000s |
快速脈沖選配 | |
電容表 | |
HF信號: | 100Mv@1MHz(20mV optional) |
范圍[pF]: | 3,30,300,3000(自動或手動) |
電容補償: | 0.1-3000 pF(自動或手動) |
靈敏度: | 0.01 fF |
電壓測量 | |
范圍: | ±10V |
靈敏度: | <1μV |
輸入電阻: | 106Ohm |
可提供偏壓補償: | |
電流測試 | |
范圍: | 5,從±1μA 到±10mA |
靈敏度: | <1pA |
可提供漏電保護 | |
瞬態(tài)記錄 | |
樣品速率: | 2μs到2000s |
樣品數(shù)量: | 16-16384(opt.64k) |
可調(diào)節(jié)抗失真濾膜 | |
標準冷卻倉 | |
溫度范圍: | 15K-450K或77K~800K |
溫度掃描方式: | 使用28個不同的相關功能(軟件)通過一次溫度掃描,給出28個溫度掃描信號。 |
典型性能(Schottky Diode,Reverse Bias Capacitance 100pF@OV) | |
靈敏度: | 10-7 |
能量精度: | HT+/-3% |
能量分辨率: | 10meV |
發(fā)射率: | 10-3/s |
Options
Constant Capacitance
Optical Excitation
Fast Pulse Interface
±100 V Option
Multi Sample Interface
暫無數(shù)據(jù)!