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MEMSHigh Reliability Variable Optical Attenuator MEMS光功率可調(diào)衰減器
說明:
Microphotons的測(cè)試儀器儀表用MEMS VOA產(chǎn)品,使用MEMS 反射鏡耦合光的入射和出射來達(dá)到衰減光功率。根據(jù)應(yīng)用可以設(shè)計(jì)成常開和常閉兩種情形:Dark或Bright。遵循Telcordia1221 and 1209可靠性標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)也遵循ROHS標(biāo)準(zhǔn)。通過優(yōu)化整合MEMS芯片、光學(xué)和封裝設(shè)計(jì),產(chǎn)品具有更小外形結(jié)構(gòu)、低的插入損耗、低的波長(zhǎng)相關(guān)損耗、低的偏振相關(guān)損耗、高的重復(fù)性和可靠性等特性。特別針對(duì)測(cè)試儀器儀表應(yīng)用高精度的需求,提供了獨(dú)到的設(shè)計(jì),以達(dá)到高瞬時(shí)穩(wěn)定性和長(zhǎng)時(shí)穩(wěn)定性。
應(yīng)用領(lǐng)域
? 高精度測(cè)試儀器儀表
? 摻餌光纖放大器中增益控制(EDFAs)
? WDM系統(tǒng)中的功率均衡
? 接收器保護(hù)
? 發(fā)射功率控制
適用標(biāo)準(zhǔn)
技術(shù)規(guī)格
項(xiàng) | 光學(xué)性能 | 規(guī)格 | 備注 | ||
1 | 衰減器類型 | Bright or Dark | Bright | Bright:不上電時(shí)為*小插損狀態(tài) Dark:不上電時(shí)為**衰減狀態(tài) | |
2 | 波長(zhǎng)范圍 | nm | 1550 | ||
3 | 衰減范圍 | Min | dB | 40 | 6.5V衰減大于40dB |
4 | 插損 | < | dB | 0.6 | 不包含連接器 |
5 | 回?fù)p | > | dB | 45 | |
6 | 重復(fù)性(20dB) | < | dB | 0.03 | |
7 | 穩(wěn)定性(20dB/20Minute) | < | dB | 0.05 | |
8 | 瞬時(shí)穩(wěn)定性(30dB/1second) | < | dB | 0.015 | |
9 | 偏振相關(guān)損耗(30dB) | < | dB | 0.4 | |
10 | 溫度相關(guān)損耗(20dB/10-40℃) | < | dB | 0.5 | |
11 | 光功率 | < | mw | 500 | |
電相關(guān)規(guī)格 | 規(guī)格 | ||||
1 | 驅(qū)動(dòng)電壓 | < | V | 6.5VDC | 可在整個(gè)電壓區(qū)間內(nèi)設(shè)定 |
2 | 功耗 | < | mw | 10 | |
機(jī)械和結(jié)構(gòu) | 規(guī)格 | ||||
1 | 光纖類型 | SMF-28e | |||
2 | 光纖長(zhǎng)度 | > | m | 1.5 |
環(huán)境條件
條件 規(guī)格 | *小 | 類型 | ** | 單位 |
工作溫度 | -5 | 75 | ℃ | |
儲(chǔ)存溫度 | -40 | 85 | ℃ |
機(jī)械規(guī)格
尺寸圖
訂購信息;
MVOA- | E□ | □ | □ | □ | □ | □ | □ | |
Type | Wavelength | Package | Fiber length | Connector | Fiber type:Corning SMF-28E | |||
Drive Voltage 5v=E1 18V=E2 | 1310=13 1550=15 S+C+L=16 1310&1550=17 Special=0 | Standard=0 Special=1 | 0.25m=1 0.5m=2 0.75m=3 1.0m=4 Special=0 | None=0 FC/PC=1 FC/APC=2 SC/PC=3 ST/APC=4 Special=0 | SMF-28E=1 Special=0 | Bare fiber=1 900um loose fiber=9 Special=0 |
產(chǎn)品性能測(cè)試參數(shù):
暫無數(shù)據(jù)!