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日立高新離子研磨裝置IM4000（HITACHI Ion Milling System IM4000 ）的混合模式帶有兩種研磨配置：
斷面加工：將樣品斷面研磨光滑，便于表面以下結(jié)構(gòu)高分辨成像。
平面研磨：將樣品表面均勻研磨5平方毫米，從不同角度有選擇地研磨，以便突出樣品的表面特性。
日立高新離子研磨裝置IM4000（HITACHI Ion Milling System IM4000 ）的高通量能提高加工效率：與之前的E-3500型相比，采用新型離子槍設(shè)計(jì)，減少了橫截面研磨時(shí)間。（**加工率：硅元素為300微米/小時(shí)--加工時(shí)間減少了66%。
日立高新離子研磨裝置IM4000（HITACHI Ion Milling System IM4000 ）的可拆卸樣品臺(tái)裝置：為便于樣品設(shè)置和定義研磨邊緣，可將樣品臺(tái)裝置拆卸。
斷面加工：將樣品斷面研磨光滑，便于表面高分辨觀察
平面研磨：不同角度有選擇地，大面積，均勻地研磨5 mm的平面，以突顯樣品的表面特性
規(guī)格
| 項(xiàng)目 | 描述 | |
| 斷面加工臺(tái) | 平面研磨臺(tái) | |
| 氣源 | 氬氣(Ar) | |
| 加速電壓 | 0-6Kv | |
| **研磨速率﹡1﹡2（硅材質(zhì)） | 約300μm/h﹡1﹡2 | 約20μm/h﹡3（點(diǎn)） 約2μm/h﹡?（面） |
| **樣品尺寸 | 20（W）×12(D)×7(H)mm | Φ50×25(H)mm |
| 樣品移動(dòng)范圍 | X±7mm，Y0－＋3mm | X0－＋5mm |
| 旋轉(zhuǎn)角度 | - | 1r/m，25r/m |
| 擺動(dòng)角度 | ±15°，±30°，±40° | ±60°，±90° |
| 傾斜 | - | 0-90° |
| 氣體流量控制系統(tǒng) | 流量調(diào)節(jié)器 | |
| 排氣系統(tǒng) | 渦輪分子泵(33L/S)+機(jī)械泵(50Hz時(shí)，135L/min，60Hz時(shí)，162L/min) | |
| 儀器外觀尺寸 | 616（W）×705(D)×312(H)mm | |
| 儀器重量 | 主機(jī)48kg+機(jī)械泵28Kg | |
| 可選附件 | 光學(xué)顯微鏡（用于觀測研磨中的樣品） | |
﹡1：此研磨速率是對研磨板邊緣處的硅材質(zhì)的材料研磨至100μm粒度時(shí)所獲得的**深度值 ﹡2：此研磨速率是對硅材質(zhì)的材料進(jìn)行研磨兩小時(shí)后獲得的平均值 ﹡3：照射角度60°偏心值4mm ﹡?:照射角度0°偏心值0mm | ||
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