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使用配有低溫系統(tǒng)的 LFA 457 對多晶石墨進行了測試，測試曲線上材料在室溫附近導熱系數(shù)達到**，一般解釋為由于該材料的 Debye 溫度較高（> 1000 K）所致。在峰值右側的高溫區(qū)域，熱擴散系數(shù)隨溫度上升而下降得比較快，主導了該區(qū)域的導熱系數(shù)變化的趨勢。峰值左側的低溫區(qū)則比熱下降的非常快，這主導了低溫下該材料的導熱系數(shù)隨溫度變化的趨勢。

聚碳酸酯（PC）是一種非常常見的聚合物材料，常用于電動工具包裝。為了通過有限元素模擬的方法以優(yōu)化生產／模制工藝，需要知道它的熱物性參數(shù)。如果使用 LFA 457 的熔融樣品容器，則不僅能測得固態(tài)下、也能測得玻璃化轉變溫度以上（> 140°C）的材料的熱擴散系數(shù)。若已知密度與比熱數(shù)據(jù)（可用 DSC 測試），則可計算得到導熱系數(shù)。此外，在比熱曲線與熱擴散曲線上還可以看到玻璃化轉變（在導熱系數(shù)曲線上則無法看到這一類似于二級相變的轉變過程）。

本例中，硅片的物理性質由 LFA 457 MicroFlash® 測試。從 -100℃ 到 500℃，導熱性能和熱擴散系數(shù)持續(xù)降低。

比熱值用 DSC 204 F1 Phoenix® 測定。數(shù)據(jù)點的標準偏差小于 1 %。

下圖為 AgPb18Te20 150 oC到370 oC溫度范圍內的導熱系數(shù)測試結果。晶格導熱系數(shù)可以根據(jù)測試得到的導熱系數(shù)計算得到。AgPb18Te20的總導熱系數(shù)(λtot) 和晶格導熱系數(shù)(λlatt) 呈現(xiàn)出溫度依賴性。

插圖為 Ag1-xPb18BiTe20 (x = 0， 0.3) 和 AgPb18BiTe20 (用 + 表示) 的導熱系數(shù)溫度依賴性比較。

在碲化鉛材料 PbTe-Ge 和 PbTe-Ge1-xSix 中，通過調整 Ge 和 Si 的含量可以很容易調節(jié)合金的導熱系數(shù)。

下圖結果是在 25℃ 到 320℃ 溫度范圍內獲得。圖A 顯示 Ge 不同的含量對 PbTe 的晶格導熱系數(shù)有很大的影響。在整個溫度范圍內，隨著 Ge 含量的降低，晶格導熱系數(shù)降低。另外，在上述體系加入 Si 元素后，晶格導熱系數(shù)進一步降低（圖B）。當 Ge 和 Si 的混合比例不變，將 Ge0.8Si0.2 含量降低時，可以看到類似的行為(圖C)。圖D 顯示當Ge-/Ge-si 的比例為 5% 時能夠得到**晶格導熱系數(shù)。