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Rpo-6型號拋光機

主要特點

技術(shù)

化學機械拋光（CMP）是用來對正在加工中的晶片或其他物料進行平坦化處理的過程，而拋光技術(shù)則是利用了物理和化學的協(xié)同作用對晶片進行的拋光，通過給儲存在拋光片里樣本的底座一個加載力而完成的，當包含了研磨劑和活性化學劑兩種成分的拋光液通過底部時，拋光墊和樣本開始計數(shù)旋轉(zhuǎn)。

原位摩擦

該儀器通過測量原位摩擦和磨損程度來研究基本的拋光技術(shù)，而摩擦的變化則可用來描述移除率的近似值。

原位墊片磨損

原位磨損率則可用來反應(yīng)在拋光，調(diào)節(jié)等情況下墊片的狀態(tài)。

狀態(tài)

原位和非原位調(diào)節(jié)

晶片尺寸

易于替換的晶片夾具可在同一測試儀上進行拋光樣品的尺寸由1英寸至6英寸。

泵

獨立的可編程泵可提供泥漿，水以及其他的化工產(chǎn)品。

消耗品和相關(guān)咨詢

我們所提供的標準拋光材料里包含的不僅僅是儀器還有一系列的消耗品(拋光液、拋光墊等)，與此同時，我們科學團隊也會為您提供有關(guān)工藝流程開發(fā)和優(yōu)化的咨詢服務(wù)。

規(guī)格

人工晶片裝載

臺式CMP研發(fā)系統(tǒng)

l原位和非原位調(diào)節(jié)

l使用可編程泵的泥漿和水管

l高硬度和良好的力控制

l340mm的滾筒直徑

l6英寸的樣本

l原位摩擦和墊片磨損選

l打印尺寸 w870x，d800x，h870mm

l應(yīng)用程序—CMP，MEMS，消耗品測試

應(yīng)用

拋光

工藝開發(fā)

環(huán)境開發(fā)

拋光液開發(fā)

拋光墊表征

粒子開發(fā)