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            美國Protochips Poseidon Select電鏡原位
            美國Protochips Poseidon Select電鏡原位

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            美國

            樣本

            暫無
            上海德心貿(mào)易有限公司

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              Poseidon Select能在完全液體的環(huán)境下對試樣進行動態(tài)成像和電化學(xué)研究,可以在感興趣的區(qū)域加入加熱包或電化學(xué)模塊。Poseidon Select系統(tǒng)是可自行配置和拓展的,這些模塊可以直接安裝或以后需要時再安裝。

              液相顯微鏡以前一直致力于提高濕試樣的圖像質(zhì)量,Poseidon的獨特設(shè)計使TEM能夠進行EDS元素分析。采樣和處理前需要干燥、固定、冷凍,或不能在所處的操作環(huán)境下成像,現(xiàn)在則能在高分辨率下研究和觀察液體樣品,可以實時的記錄納米尺度下的動態(tài)環(huán)境,如生物礦化。不管是水合材料(如油墨、膠),還是生物材料(大分子,病毒,甚至細胞),Poseidon都能夠快速并輕松地在密封環(huán)境中加載試樣并TEM成像。

              Poseidon 電化學(xué)模塊將傳統(tǒng)的電化學(xué)實驗室縮小為一個芯片大小,可以安全地置于透射電子顯微鏡(TEM)中。這種微流體電化學(xué)腔室能夠使研究人員在高分辨率下觀察電化學(xué)反應(yīng)的同時,進行循環(huán)伏安和其他電化學(xué)實驗。利用Poseidon 電化學(xué)包,研究者可以探索材料的基本物理性能和優(yōu)化電化學(xué)系統(tǒng),如電池、燃料電池、化工生產(chǎn)和防腐涂層。

              Poseidon加熱模塊在 Poseidon系統(tǒng)中同樣極為有用,可以使TEM樣品桿直接加熱液體。溫度是通過Clarity軟件控制的,這種軟件通過閉環(huán)控制確保了溫度的穩(wěn)定和精準。

              緊湊的設(shè)計使試樣和EDS檢測器之間有一個大角度的視線,能夠減小樣品傾斜和提高計數(shù)率。Poseidon甚至能夠兼容大型的、采集效率高的EDS檢測器以及多個檢測器的配置。

              Poseidon是市場上**商品化的第三方液流容器系統(tǒng),并已被FEI、JEOL和Hitachi安全使用和認可,使用Poseidon不會影響這些儀器的保修或服務(wù)計劃。

            規(guī)格

            平臺

            Poseidon Select和大部分TEM兼容。請聯(lián)系 Protochips 或當?shù)氐拇硪源_認是否兼容

            大電子芯片尺寸

            6.0 mm x 4.5 mm

            小電子芯片尺寸

            2.0 mm x 2.0 mm

            兼容性

            EDS; EELS; STEM; 電子衍射; 球差校正,

            分辨率

            2+1 nm或更好

            O型圈

            單密封圈

            端口數(shù)

            3

            流體匯聚

            樣品桿頂端

            Poseidon 加熱模塊

            加熱

            液體加熱可達100

            軟件

            Clarity界面:溫度控制和輸出圖形

            溫度控制方法

            閉環(huán)

            Poseidon 電化學(xué)模塊

            樣品桿的電學(xué)輸入

            5 個插口

            電極

            3個 電極 (WE,RE,CE)

            恒電位儀的電流范圍

            60 pA- 600mA

            **電壓

            ±11 Volts

            響應(yīng)時間

            < 250 ns

            試樣頻率

            10 μHz – 1 MHz

            電壓精度 (恒電位儀)

            應(yīng)用        ± 1 mV ± 0.2%

            測量        ± 1 mV ± 0.2%

            電極-電子芯片接觸環(huán)境

            干燥環(huán)境

            電流精度 (恒電位儀)

            應(yīng)用        ± 10 pA ± 0.3%

            測量        ± 10 pA ± 0.3%

            說明

            1. EDS信號接收器的視線窗口區(qū)域取決于接收器的配置。樣品桿尖端的設(shè)計用于優(yōu)化低本底分析

            2. 分辨率是通過金納米棒(10×40 nm)在150 nm間距芯片的液滴120 kV或更大的電壓下的R25-75值計算的。

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            售后服務(wù)

            10分

            易用性

            10分

            性價比

            10分
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