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            半導體 長晶爐專用高溫耐火材料
            半導體 長晶爐專用高溫耐火材料

            參考價格

            1萬元以下

            型號

            U-003

            品牌

            山東優(yōu)恩新材料

            產(chǎn)地

            山東淄博

            樣本

            暫無
            山東優(yōu)恩新材料科技有限公司

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              9.2級
            • 密度(kg/m3):

              5.2~4.5g/cm3
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             鎂穩(wěn)定氧化鋯定型制品:氧化鋯在地殼中約占0.026%,因為分布分散,所以感覺少。在自然界中主要有兩種含鋯礦石:斜鋯石和鋯英石。斜鋯石中含ZrO280%-90%,高品味可達90%-99%。鋯英石中ZrO2在67%左右,主要雜質(zhì)是二氧化硅。在鋯礦中,常伴有0.5%-3%的帶有放射性的氧化鉿等成分,在提煉氧化鋯的過程中很難將它分離干凈。較純的氧化鋯粉末呈黃色和灰色,高純的氧化鋯粉呈白色。

            氧化鋯有兩種主要的同質(zhì)異晶體:低溫型的單斜結(jié)晶,密度為5.56g/cm3;高溫型的四方結(jié)晶,密度為6.10g/cm3.單斜與四方兩種晶型可以互相轉(zhuǎn)化,可逆轉(zhuǎn)化的溫度在1000℃左右。伴隨著晶型化約9%的體積突變,加熱時由單斜結(jié)晶轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆浇Y(jié)晶,體積收縮;冷卻時由四方結(jié)晶轉(zhuǎn)變?yōu)閱涡苯Y(jié)晶,體積膨脹。

            ZrO2的變體膨脹曲線和差熱分析曲線可見,這種收縮與膨脹并非發(fā)生在同一溫度,前者發(fā)生在約1200℃,后者發(fā)生在1000℃附近。

            由于氧化鋯有晶型轉(zhuǎn)變和體積突變的特點,因此單用純氧化鋯就很難制造出燒結(jié)且又不開裂的制品。當向氧化鋯中加入適量的陽離子半徑與Zr4+離子半徑相差在12%以內(nèi)的氧化物,例如氧化鈣(CaO)、氧化鎂(MgO)、氧化釔(Y2O3)、氧化鈰(CeO2)等,經(jīng)高溫處理后就可以得到從室溫直至2000℃以上都穩(wěn)定的立方晶型的氧化鋯固溶體,從而消除了在加熱或冷卻過程中的體積突變。這種立方固溶體的氧化鋯就稱為穩(wěn)定氧化鋯。制備穩(wěn)定氧化鋯的過程就叫氧化鋯的穩(wěn)定化。上述加入的氧化物稱為穩(wěn)定劑。如圖5所示的立方氧化鋯固溶體的穩(wěn)定范圍,穩(wěn)定劑的有效加入量為:氧化鎂的摩爾分數(shù)為16%-26%;氧化鈣的摩爾分數(shù)15%-29%;氧化釔的摩爾分數(shù)7%-40%;氧化鈰的摩爾分數(shù)大于13%。穩(wěn)定劑視具體要求,可單獨用一種或同時配入幾種。

            氧化鋯穩(wěn)定化時,一般用含量大于96%的單斜氧化鋯原料與穩(wěn)定劑一起在瓷球磨筒內(nèi)研磨混合8-24h,然后加入少量結(jié)合劑,在60-100MPa壓力下壓成坯塊。壓塊的目的是使顆粒緊密接觸,促進固相反應,有利于均勻穩(wěn)定。根據(jù)具體工藝要求,坯塊可在1450-1800℃的溫度范圍內(nèi)進行穩(wěn)定化。后把穩(wěn)定料粉碎至各種粒度的粉料。在1800℃穩(wěn)定的坯塊不易細磨,所以一般用作模壓成型時的骨料或者等離子噴涂用的顆粒料。


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