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PHI 06-C60型離子槍

簡介

PHI06-C₆₀型離子槍設計獨特，適用于多種有機物和聚合物材料表面低損傷的清潔和濺射深度剖析。該離子槍產生C₆₀離子束，經過韋恩過濾器過濾。一旦C₆₀離子束轟擊到樣品表面，其初始動能就會分配到60個碳原子上。導致樣品表面能量級聯形成高效率濺射過程且對樣品化學成分造成的破壞*小。而Ar離子束濺射對有機物和聚合物造成化學破壞比較嚴重，06-C₆₀型離子槍在當前的儀器設計中，包括Quantera SXM和VersaProbe，作為一種配置選項，該離子槍也可經過改裝用于多種Ulvac-Phi Quantera和PHI 5000系列的XPS儀器。另外，該離子槍的控制器和掃描控制單元均由計算機控制。

圖1 - PHI 06-C₆₀ 10kV - C₆₀型離子槍

應用優(yōu)勢

兩片被硅氧烷污染的PET 薄膜，分別用500 V Ar 離子束和10 kV C₆₀離子束濺射。用 Ar 離子束濺射1 nm后，PET的C 1s譜圖中看到明顯化學破壞；用Ar離子束濺射20 nm后，PET的C 1s譜圖中看到劇烈化學破壞。而與之對應C₆₀離子束濺射20 nm后，PET的C 1s譜圖中看到化學成分幾乎與未濺射表面沒有區(qū)別。

圖2 - PET 表面的C 1s高分辨譜隨濺射深度變化的關系 (a) 500 V Ar 離子束 (b) 10 kV C₆₀離子束。C 1s 譜表明經500V Ar 清潔后出現嚴重的化學成分破壞