參考價(jià)格
面議型號(hào)
PECVD管式爐品牌
博納熱產(chǎn)地
河南樣本
暫無非金屬電熱元件:
其他金屬電熱元件:
鎳銅絲燒結(jié)氣氛:
其他溫控精度:
-最高溫度:
1200額定溫度:
1100看了PECVD管式爐的用戶又看了
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PECVD 系統(tǒng)的設(shè)計(jì)是為了降低傳統(tǒng)化學(xué)氣相沉積的反應(yīng)溫度。在傳統(tǒng)化學(xué)氣相沉積前面安裝射頻感應(yīng)裝置,電離反應(yīng)氣體,產(chǎn)生等離子體。等離子體的高活性是由于等離子體的高活性加速了反應(yīng)的進(jìn)行。這個(gè)系統(tǒng)叫做 PECVD。
該型號(hào)是博納熱**產(chǎn)品,綜合了大多數(shù) PECVD 爐系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn),在 PECVD 爐系統(tǒng)前增加了預(yù)熱區(qū)。試驗(yàn)表明,沉積速度快,膜層質(zhì)量好,孔洞少,不開裂。配備AISO 全自動(dòng)智能控制系統(tǒng),操作方便,功能強(qiáng)大。
PECVD 爐的應(yīng)用范圍很廣: 金屬膜、陶瓷膜、復(fù)合膜、各種膜的連續(xù)生長。易增加功能,可擴(kuò)展等離子清洗蝕刻等功能。
高薄膜沉積速率: 采用射頻輝光技術(shù),大大提高了薄膜的沉積速率,沉積速率可達(dá)1000s.
高面積均勻性: 先進(jìn)的多點(diǎn)射頻送料技術(shù)、特殊氣路分布、加熱技術(shù)等,使薄膜均勻性指數(shù)達(dá)到8%.
高濃度: 使用先進(jìn)的設(shè)計(jì)概念的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),一個(gè)沉積基板之間的偏差小于2%.
高過程穩(wěn)定性: 高度穩(wěn)定的設(shè)備確保了連續(xù)和穩(wěn)定的過程。
插管4支
爐管1根
真空泵1件
真空密封法蘭2套
真空計(jì)1件
氣體輸送和真空泵
射頻等離子體設(shè)備
快卸法蘭,三通法蘭
7英寸高清觸摸屏
一、技術(shù)參數(shù) | |
型號(hào) | BR-PECVD-500A |
加熱長度和恒溫區(qū)長度 | 440mm, 200mm |
爐管尺寸 | Ф100x1650mm (爐管直徑可根據(jù)實(shí)際需要定制) |
**工作溫度 | 1200 oC (<1小時(shí)) |
長期工作溫度 | ≤1100℃ |
電壓及額定功率 | 單相,220V,50Hz |
控溫方式
| ?51段可編程控溫,PID參數(shù)自整定, ?操作界面為10”工控電腦,內(nèi)置PLC控制程序, ?可將溫控系統(tǒng)、滑軌爐滑動(dòng)(時(shí)間和距離)設(shè)定為程序控制。 |
控溫精度 | ± 1 oC |
溫度均勻度 | ± 5 oC |
加熱速率 | ≦20 oC /分鐘 |
熱電偶 | K型 (熱電偶保護(hù)管為純度 99.7%的剛玉管) |
加熱元件 | HRE電阻絲 |
真空度 | 工作真空度10-2 Pa (冷態(tài)及保溫) 極限真空度10-3 Pa (極限真空度) |
爐膛材料 | 氧化鋁、高溫纖維制品 |
暫無數(shù)據(jù)!
用于新能源產(chǎn)品的研發(fā)工作
購買真空爐,并來工廠考察,對(duì)公司給予了極高的評(píng)價(jià)
在之前以色列客戶的介紹和肯定下,客戶的朋友簽下了10臺(tái)熔煉爐,用于新工廠使用,感謝客戶的信任,工廠員工也在認(rèn)真有序的生產(chǎn)中,期待客戶能夠早日用上設(shè)備