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            公斤級(jí)粉體原子層沉積鍍膜系統(tǒng)
            公斤級(jí)粉體原子層沉積鍍膜系統(tǒng)

            參考價(jià)格

            面議

            型號(hào)

            G1000

            品牌

            韞茂科技

            產(chǎn)地

            福建

            樣本

            暫無
            廈門韞茂科技有限公司

            高級(jí)會(huì)員

            |

            第4年

            |

            生產(chǎn)商

            工商已核實(shí)

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            核心參數(shù)
            • 全容積(m3):

              /
            • 能耗:

              /
            • 處理量:

              1-100Kg
            • 物料類型:

              粉狀
            • 工作原理:

              其他
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            國內(nèi)高端粉末式原子層沉積系統(tǒng) GM系列 



            4.jpg

            原子層沉積(Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應(yīng)用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。 

            5.jpg

            產(chǎn)品描述

            廈門韞茂科技公司的GM系列自動(dòng)粉末原子層沉積設(shè)備它可以在微納米粉體上實(shí)現(xiàn)均勻可控的原子層沉積或分子層沉積生長,GM1000的反應(yīng)室可自動(dòng)運(yùn)行ALD(原子層沉積)或MLD(分子層沉積),設(shè)備配有獨(dú)立控制的300℃完整加熱反應(yīng)腔室系統(tǒng),保證工藝溫度均勻。該系統(tǒng)具有**粉末樣品桶、動(dòng)態(tài)粉末流化機(jī)構(gòu)、全自動(dòng)溫度控制、ALD前驅(qū)體源鋼瓶、自動(dòng)溫度控制閥、工業(yè)級(jí)安全控制,以及現(xiàn)場(chǎng)RGA、QCM、臭氧發(fā)生器、手套箱等設(shè)計(jì)選項(xiàng)。是先進(jìn)能源材料、催化劑材料、新型納米材料研究與應(yīng)用的**研發(fā)工具。


            主要技術(shù)參數(shù)

            G100 Powder ALD 

            技術(shù)參數(shù) Technical Specifications (ZrO2, LiNbO3, Al2O3, LPT, LiS等制備)

            樣品**裝載量 Capacity100g(可根據(jù)需求定制, 也可放置3D基體及多片平片
            樣品反應(yīng)溫度 HeatingRT-300℃
            前驅(qū)體 Max Precursor**可包括2組反應(yīng)氣體 8組液態(tài)或固態(tài)反應(yīng)前驅(qū)體, Max 2 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors 
            前驅(qū)體加熱**溫度 Max Precursor Heating RT-200℃
            包覆均一性 Uniformity<3%
            成膜速率 Deposition Rate1-2A/Cycle (Al2O3)
            臭氧發(fā)生器Ozone Generator可選配,生產(chǎn)效率15g/h
            人機(jī)界面 HMI全自動(dòng)化人機(jī)操作界面
            安全Safety工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)安全互鎖Industry Safety Interlock,報(bào)警Alarm,EMO


            G1000 Powder ALD 

            技術(shù)參數(shù) Technical Specifications (ZrO2, LiNbO3, Al2O3, LPT, LiS等制備)

            樣品**裝載量 Capacity1000g(可根據(jù)需求定制, 也可放置3D基體及多片平片
            樣品反應(yīng)溫度 HeatingRT-300℃
            前驅(qū)體 Max Precursor**可包括2組反應(yīng)氣體 8組液態(tài)或固態(tài)反應(yīng)前驅(qū)體, Max 2 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors 
            前驅(qū)體加熱**溫度 Max Precursor Heating RT-300℃
            包覆均一性 Uniformity<3%
            成膜速率 Deposition Rate1-2A/Cycle (Al2O3)
            臭氧發(fā)生器Ozone Generator可選配,生產(chǎn)效率15g/h
            人機(jī)界面 HMI全自動(dòng)化人機(jī)操作界面
            安全Safety工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)安全互鎖Industry Safety Interlock,報(bào)警Alarm,EMO



            創(chuàng)新點(diǎn)

            可實(shí)現(xiàn)高精度納米級(jí)薄膜包覆改性,專門為粉體材料研發(fā)制造,目前已廣泛應(yīng)用于鋰電池正負(fù)極改性/催化劑改性/量子點(diǎn)/熒光粉等領(lǐng)域

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            產(chǎn)品質(zhì)量

            10分

            售后服務(wù)

            10分

            易用性

            10分

            性價(jià)比

            10分
            評(píng)論內(nèi)容
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            公司動(dòng)態(tài)
            暫無數(shù)據(jù)!
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