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Plasma 2000 全譜ICP光譜儀

產(chǎn)品詳情

      鋼研納克ICP光譜儀，35年電感耦合等離子體光譜儀方法開發(fā)經(jīng)驗,數(shù)十項ICP檢測標準的起草單位,ICP光譜儀產(chǎn)品標準GB/T 36244-2018起草單位,重大科學儀器專項《ICP痕量分析儀器的研制》牽頭單位。央企品牌，上市公司，品質(zhì)之選！歡迎來電洽談。聯(lián)系電話：400-62******

儀器介紹

      Plasma2000型電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀是鋼研納克“國家重大科學儀器設備開發(fā)專項”成果。采用中階梯光柵光學結(jié)構(gòu)和科研級CCD檢測器實現(xiàn)全譜采集。儀器穩(wěn)定性好、檢測限低、快速分析、運行成本低。

      Plasma2000型電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀可用于地質(zhì)、冶金、稀土及磁材料、環(huán)境、醫(yī)藥衛(wèi)生、生物、海洋、石油、化工新型材料、農(nóng)業(yè)、食品商檢、水質(zhì)等各領(lǐng)域及學科的樣品分析。可以快速、準確地檢測從微量到常量約70種元素。

1、 中階梯光柵與棱鏡交叉色散結(jié)構(gòu)，徑向觀測，具有穩(wěn)健的檢測能力。

2、 高效穩(wěn)定的固態(tài)射頻發(fā)生器，體積小巧，匹配速度快，確保儀器的高精度運行及優(yōu)異的長期穩(wěn)定性。

3、 高速面陣CCD采集技術(shù)，單次曝光獲取全部譜線信息，真正實現(xiàn)“全譜直讀”。

4、 功能強大的軟件系統(tǒng)，簡化分析方法的開發(fā)過程，為用戶量身打造簡潔、舒適的操作體驗。

技術(shù)參數(shù)

1. 光學系統(tǒng)：中階梯二維分光光學系統(tǒng)，焦距400mm

2. 譜線范圍：165nm~950nm，光學分辨率：0.007nm（200nm處）

3. 光柵規(guī)格：中階梯光柵，52.67刻線/毫米，尺寸：100mm x 50mm

4. 晶體管固態(tài)射頻發(fā)生器，小巧高效

5. 27.12MHz頻率提高信噪比，改善了檢出限

6. 自動匹配調(diào)節(jié)

7. 全組裝式炬管，降低了維護成本

8. 計算機控制可變速12滾軸四通道蠕動泵，具有快速清洗功能

9. 實驗數(shù)據(jù)穩(wěn)定性良好：重復性 RSD ≤0.5% (1mg/L) （n=10）；穩(wěn)定性：RSD ≤1.0%（大于3小時）

儀器特點

穩(wěn)健高效的全固態(tài)光源

      全固態(tài)射頻發(fā)生器，體積小、效率高，全自動負載匹配，速度快、精度高，能適應各種復雜基體樣品及揮發(fā)性有機溶劑的測試，具有優(yōu)異的長期穩(wěn)定性。

      垂直炬管的設計，具有更好的樣品耐受性，減少了清潔需求，降低了備用炬管的消耗。

      簡潔的炬管安裝定位設計，快速定位，精確的位置重現(xiàn)。 

      實時監(jiān)控儀器運行參數(shù)，高性能CAN工業(yè)現(xiàn)場總線，保障通訊高效可靠。

精密的光學系統(tǒng)

      中階梯光柵與棱鏡交叉色散結(jié)構(gòu)，使用超純SiO2棱鏡，高光路傳輸效率，保證了深紫外區(qū)的元素測量。

      優(yōu)化的光學設計，采用非球面光學元件，改善成像質(zhì)量，提高光譜采集效率。

      光室多點充氣技術(shù)，縮短光室充氣時間，提高紫外光譜靈敏度及穩(wěn)定性，開機即可測量。

      光室氣路獨立，可充氮氣或氬氣。

      包圍式立體控溫系統(tǒng)，保障光學系統(tǒng)長期穩(wěn)定無漂移。

進樣系統(tǒng)

      儀器配備系列經(jīng)過優(yōu)化的進樣系統(tǒng)，可用于有機溶劑、高鹽/復雜基體樣品、含氫氟酸等樣品的測試。

      使用一體式炬管，易于維護，轉(zhuǎn)換快速，使用成本低。

      使用質(zhì)量流量控制器控制冷卻氣、輔助氣和載氣的流量，流量連續(xù)可調(diào)，保障測試性能長期穩(wěn)定。

      4通道12滾輪蠕動泵，泵速連續(xù)可調(diào)，確保樣品導入穩(wěn)定性。

檢測器

      大面積背照式CCD檢測器, 全譜段響應，高紫外量子化效率，抗飽和溢出

      具有極寬的動態(tài)范圍和極快的信號處理速度

      一次曝光，完成全譜光譜信號的采集讀取，獲得更為快速、準確的分析結(jié)果

      同類產(chǎn)品中**靶面尺寸，***像素，單像素面積24μm X 24μm

      三級半導體制冷,制冷溫度低于-35℃，具有更低的噪聲和更好的穩(wěn)定性