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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

質(zhì)檢報(bào)告

XRD圖像

粒度報(bào)告

相關(guān)數(shù)據(jù)

氮化鉭(Tantalummononitride)為黑色六方結(jié)晶，分子式為TaN
分子量為194.95，相對(duì)密度為13.4，熔點(diǎn)為3090℃，顯微硬度為1100kg/mm2，熱導(dǎo)率為9.54W/(m·K)，電阻率為128μΩ·cm。
δ氮化鉭為黃綠色結(jié)晶，屬氯化鈉型結(jié)晶，相對(duì)密度為15.6。晶格常數(shù)為a=0.4336nm，c=0.4150nm。熔點(diǎn)為2950℃，顯微硬度為3200kg/mm2，轉(zhuǎn)化點(diǎn)溫度為17.8K。不溶于水、酸，微溶于王水，溶于氫氧化鉀并分解釋放出氨，加熱至2000℃即釋放出氮?dú)狻?br/>1.用來制造精確片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。
2.用作超硬質(zhì)材料添加劑，可制備純的五氯化鉭：用于噴涂，增加變壓器集成線路、二極管的電穩(wěn)定性。在制造集成電路的過程中，這些膜沉積在硅晶片的頂部，以形成薄膜表面貼裝電阻。用來制造精確片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕氮化鉭材料被用于制作芯片導(dǎo)線的保護(hù)層。