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DRE-III多功能快速導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀（瞬態(tài)平面熱源法、HotDisk法）

• 產(chǎn)品型號(hào)：DRE-III

• 產(chǎn)品時(shí)間：2019/4/24 0:00:00

• 簡(jiǎn)要描述：主要測(cè)量固體、巖土、粉末、液體、糊狀、涂層、薄膜、各向異性材料等的導(dǎo)熱系數(shù)、導(dǎo)溫系數(shù)（熱擴(kuò)散系數(shù)）和比熱、蓄熱系數(shù)及熱阻。

                DRE-III多功能快速導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀
                                  (瞬態(tài)平面熱源法,Hot Disk法導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀)

一、概述：
  本儀器采用瞬態(tài)平面熱源法，基于TPS瞬態(tài)平面熱源技術(shù)，用Hot Disk探頭。該儀器的優(yōu)點(diǎn)有：
       (1)直接測(cè)量熱傳播，可以節(jié)約大量的時(shí)間；
       (2)不會(huì)和靜態(tài)法一樣受到接觸熱阻的影響；
       (3)無(wú)須特別的樣品制備，對(duì)固態(tài)材料只需有一個(gè)相對(duì)平整的樣品表面。不同類型的材料采用不同的測(cè)試方案及計(jì)算數(shù)學(xué)模型，具有測(cè)量速度快、適用范圍寬及能夠成功避免在實(shí)驗(yàn)過程中自然對(duì)流的影響等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)際測(cè)試材料范圍廣，導(dǎo)熱系數(shù)范圍寬，試樣處理簡(jiǎn)單，測(cè)試速度快的優(yōu)點(diǎn)，是目前比較流行的測(cè)試方法。

    設(shè)備參考標(biāo)準(zhǔn)：ISO 22007-2:2008, GB/T32064-2015 。

    測(cè)試材料: 金屬、合金、石墨、導(dǎo)熱硅脂、硅膠、硅橡膠、陶瓷、巖土、巖石、聚合物、紙、織物、泡沫塑料、混凝土、復(fù)合板材、紙蜂窩板等固體、粉末、液體、糊狀、涂層、薄膜、保溫材料、絕熱材料、各向異性材料等的導(dǎo)熱系數(shù)、導(dǎo)溫系數(shù)（熱擴(kuò)散系數(shù)）和比熱容、蓄熱系數(shù)及熱阻。

二、主要技術(shù)參數(shù)：
     1.導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)定范圍：0.001～500 w/(m.k),分辯率為0.0001w/(m.k)；

  2.熱擴(kuò)散系數(shù)（導(dǎo)溫系數(shù)）范圍：0.1～100 m²/s；  

  3.蓄熱系數(shù)范圍：0.1～30 w/(m².k)；
     4.比熱容范圍：0.1～5 kJ/(kg.℃)； 

  5.熱阻范圍：0.5～0.000005 mm².k/w；

  6.溫度測(cè)量精度：≤0.001℃；   

  7.；測(cè)量相對(duì)誤差：≤3%    

  8.重復(fù)性誤差：≤ 3%；   

  9.測(cè)試時(shí)間：1～120 秒。
    10.試樣測(cè)試環(huán)境溫度范圍：-40～150℃；標(biāo)準(zhǔn)配置：室溫。

      可根據(jù)客戶要求選配各種高、低溫度段控制箱(-40～150℃)或真空狀態(tài)下的測(cè)試狀態(tài),合同約定，費(fèi)用另計(jì)；

  11.探頭配置：標(biāo)準(zhǔn)配置：直徑Φ15mm。

可根據(jù)客戶要求選配探頭直徑：Φ30nn, Φ15mm,Φ7.5mm或同時(shí)配置，合同約定，費(fèi)用另計(jì)；

  12. 測(cè)試試樣要求：

          a、固體塊狀或圓形、方形、異形樣品，無(wú)須特別制備，只需一個(gè)相對(duì)平整的樣品表面,配有專用試樣裝夾裝置。

          b、對(duì)粉狀、糊狀、液狀物質(zhì)無(wú)特殊要求,配有專用試樣測(cè)試盒。 

      c、所測(cè)較薄材料,專用測(cè)試方案與數(shù)學(xué)模型進(jìn)行測(cè)試。

      d、高導(dǎo)與絕熱材料,專用測(cè)試方案與數(shù)學(xué)模型進(jìn)行測(cè)試。

  13.采用全自動(dòng)測(cè)試軟件，快速準(zhǔn)確對(duì)樣品進(jìn)行試驗(yàn)過程參數(shù)分析和報(bào)告輸出。
     14.電源：AC 220V±10%，50/60 Hz, 整機(jī)功率：＜500w；
三、探頭技術(shù)指標(biāo)：
       1. 加熱材料：金屬鎳；
       2. 使用溫度：-50～150℃；
       3. **功率：20w；
       4. **電壓：20V；
       5. **電流：1A；
       6. 電阻：10Ω左右，依探頭上標(biāo)注阻值為準(zhǔn)；
       7. 鎳絲規(guī)格：厚度0.01mm,熱絲寬度：0.35±0.03mm；
                               熱絲間距：0.35±0.03mm ；
       8. 保護(hù)層材料：聚酰亞胺薄膜（Kapton）；單層厚度：0.06mm；
       9. 探頭直徑：Φ30mm,Φ15mm,Φ7.5mm。
       10.探頭總厚度（包括粘結(jié)層厚度）0.07±0.02mm。